超聲波壓電陶瓷片的位移估算是利用逆壓電效應(yīng)，即向壓電陶瓷施加電壓，壓電陶瓷將在電場(chǎng)的影響下發(fā)生變形位移。

1. 位移的粗略估計(jì)

耐壓下的超聲波壓電陶瓷片的位移通常為位移方向長(zhǎng)度的約1‰，例如，1 mm厚的陶瓷片，耐壓為1000 v，耐壓為1000 v，厚度方向的位移約為1 μm。

2. 超聲波壓電陶瓷片的位移估算；

其中: u :外加電壓[ v ]，h :陶瓷高度[ m ]，e :電場(chǎng)強(qiáng)度[ v / m ]，d :壓電系數(shù)[ m / v ]，w :陶瓷寬度[ m ]。

從以上公式可以看出，片狀超聲波壓電陶瓷片的位移僅與材料和提供的電壓有關(guān)，但是對(duì)于相同的材料，只要施加相同的電壓，不同高度的陶瓷片產(chǎn)生的位移基本上是相同的(記住:電壓不能超過(guò)可以承受的大電壓)。

根據(jù)這個(gè)計(jì)算公式，其他形狀也可以用來(lái)估計(jì)位移。

3. 單層陶瓷在共振頻率點(diǎn)工作時(shí)產(chǎn)生的振幅大。

當(dāng)感測(cè)或發(fā)電時(shí)，估計(jì)輸出電壓

當(dāng)超聲波壓電陶瓷芯片用作傳感器時(shí)，它利用其正壓電效應(yīng)I.e. 它通過(guò)施加外力來(lái)輸出電荷而變形。

輸出電壓理論估算公式:

其中: d33 :是材料常數(shù)，f :是力，h :是高度，r :是晶片的半徑。

例如，晶片NCE41 - DISC - OD20 - TH5的材料系數(shù)為25. 5 * 1013，當(dāng)施加12500 N力時(shí)，理論估算電壓為5000V。

單層陶瓷的型號(hào)選擇:超聲波壓電陶瓷片產(chǎn)品通常是大規(guī)模定制的，所以我們不提供超聲波壓電陶瓷片組件作為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。 然而，也將有一些模型庫(kù)存. 建議您從庫(kù)存中選擇型號(hào)進(jìn)行性能測(cè)試，供貨時(shí)間短，成本控制簡(jiǎn)單。